메모리 셀은 일반적으로 트랜지스터와 커패시터로 구성됩니다. 트랜지스터는 전류의 흐름을 제어하는 스위치 역할을 하며, 커패시터는 전하를 저장해 데이터를 유지합니다. 메모리 유형 중 하나인 DRAM의 경우, 하나의 트랜지스터와 하나의 커패시터로 구성된 메모리 셀을 사용합니다. 또 다른 메모리 유형인 SRAM의 경우 여러 개의 트랜지스터를 조합해 플립플롭을 형성합니다.

트랜지스터(transistor)는 메모리 셀의 기본 구성 요소로, 전류의 흐름을 제어해 메모리 셀의 상태를 0 또는 1로 설정할 수 있습니다. 메모리 셀에서 데이터를 읽거나 쓸 때 특정한 전압으로 셀의 상태를 변경하거나 읽어올 수 있습니다. 쓰기 동작에서는 전류를 흐르게 해 셀의 상태를 변경하고, 읽기 동작에서는 셀의 상태를 감지해 출력합니다. 트랜지스터는 전류의 흐름을 차단할 수 있는 기능도 있어서 메모리 셀의 상태를 유지하게 합니다. 예를 들어, DRAM에서는 셀의 전하를 유지하기 위해 주기적으로 리프레시(refresh)해야 하는데, 이 과정에서 트랜지스터가 전류의 흐름을 제어합니다.

커패시터(capacitor)는 전하를 저장하는 소자로, 데이터 비트를 저장하는 데 사용합니다. 커패시터는 전하의 유무에 따라 0 또는 1의 값을 나타냅니다. DRAM에서는 커패시터의 전하가 시간이 지남에 따라 방전되기 때문에 주기적으로 리프레시해야 합니다.

플립플롭(flip-flop)은 SRAM 메모리 셀에서 데이터 비트를 저장하는 데 사용합니다. 플립플롭은 전원이 공급되는 한 데이터를 안정적인 상태로 유지합니다.