Note 트랜지스터의 작동 방식

트랜지스터에서 메모리 셀을 0 또는 1로 설정하는 과정은 주로 전압의 인가와 전류의 흐름을 통해 이루어집니다.

1. 쓰기 동작

메모리 셀에 데이터를 쓰기 위해 트랜지스터에 특정 전압을 가합니다. 이 전압은 트랜지스터의 종류에 따라 다릅니다. 게이트에 전압이 가해지면 트랜지스터가 활성화되어 소스(source, 소자에 전류가 들어오는 단자)와 드레인(drain, 소자에서 전류가 나가는 단자) 사이에 전류가 흐릅니다. 이 전류는 커패시터에 전하를 저장합니다. 커패시터에 저장한 전하의 양에 따라 메모리 셀의 상태를 결정합니다. 예를 들어, 특정 전하량을 저장하면 1로 간주하고, 전하가 없거나 매우 적으면 0으로 간주합니다.

2. 읽기 동작

메모리 셀의 상태를 읽기 위해 트랜지스터를 활성화해 커패시터에 저장된 전하를 감지합니다. 이 과정에서 전압의 변화가 감지되면 메모리 셀의 상태를 0 또는 1로 판별할 수 있습니다.

3. 리프레시

DRAM 메모리 셀에서는 시간이 지나면서 커패시터의 전하가 서서히 방전되기 때문에 데이터를 유지하려면 주기적으로 재충전해야 합니다. 이러한 재충전 과정을 리프레시(refresh)라고 합니다. 이 과정에서 트랜지스터가 중요한 역할을 합니다. 리프레시는 주기 설정이 매우 중요합니다.