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Note ≡ | 텐서를 메모리에 저장하기

텐서는 그것이 1차원이든 N차원이든 메모리에 저장할 때는 1차원 배열 형태가 됩니다. 즉, 1차원 배열 형태여야만 메모리에 저장할 수 있습니다. 그리고 변환된 1차원 배열을 스토리지(storage)라고 합니다. 스토리지를 이해하기 위해서는 오프셋과 스트라이드 개념을 알아야 합니다.

오프셋(offset): 텐서에서 첫 번째 요소가 스토리지에 저장된 인덱스입니다.

스트라이드(stride): 각 차원에 따라 다음 요소를 얻기 위해 건너뛰기(skip)가 필요한 스토리지의 요소 개수입니다. 즉, 스트라이드는 메모리에서의 텐서 레이아웃을 표현하는 것으로 이해하면 됩니다. 요소가 연속적으로 저장되기 때문에 행 중심으로 스트라이드는 항상 1입니다.

그렇다면 왜 오프셋과 스트라이드라는 내용을 이해해야 할까요? 선형대수학을 배웠다면 전치 행렬이 무엇인지 알고 있을 것입니다.

간단히 전치 행렬을 설명하면 다음과 같습니다. A 행렬에서 첫 번째 열을 첫 번째 행으로 위치시키고, 두 번째 열을 두 번째 행으로 위치시키며, AT로 표현합니다(동일한 원리를 텐서에 적용할 수 있습니다).

그렇다면 이것이 오프셋, 스트라이드와 무슨 관계가 있을까요?

조금 더 극적인 효과를 위해 행과 열의 수가 다른 텐서 AAT를 생성해 보겠습니다. 그리고 AAT를 1차원 배열로 바꾸어서 메모리에 저장시키기 위해 텐서의 값들을 연속적으로 배치해 보겠습니다.

▲ 그림 2-6 3차원 텐서를 1차원으로 변환

A(2×3)와 AT(3×2)는 다른 형태(shape)를 갖지만 스토리지의 값들은 서로 같습니다. 따라서 AAT를 구분하는 용도로 오프셋과 스트라이드를 사용합니다.

다음 그림의 스토리지에서 2를 얻기 위해서는 1에서 1칸을 뛰어넘어야 하고, 4를 얻기 위해서는 3을 뛰어넘어야 합니다. 따라서 텐서에 대한 스토리지의 스트라이드는 (3, 1)입니다.

▲ 그림 2-7 A를 1차원으로 변환

반면에 A의 전치 행렬은 좀 다릅니다. 다음 그림의 스토리지에서 4를 얻기 위해서는 1에서 1칸을 뛰어넘어야 하고, 2을 얻기 위해서는 2를 뛰어넘어야 합니다. 따라서 텐서에 대한 스토리지의 스트라이드는 (2, 1)입니다.

▲ 그림 2-8 A의 전치 행렬을 1차원으로 변환

이와 같이 오프셋과 스트라이드는 데이터 자체가 아닌 행렬/텐서를 구분하기 위해 사용합니다.

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