대상 가스(Target Gas)

암모니아(NH₃)

일산화탄소(CO), 이산화질소(NO2),

에탄올(C₂H₅OH), 수소(H₂), 메탄(CH₄),

프로판(C₃H₈), 이소부탄(C₄H₁₀)

센서 타입(Sensor Type)

MEMS MOS(Metal Oxide Semiconductor)

측정 범위(Detection Range)

암모니아(NH₃): 1~500ppm

일산화탄소(CO): 1~1,000ppm

이산화질소(NO₂): 0.05~10ppm

에탄올(C₂H₅OH): 10~500ppm

수소(H₂): 1~1,000ppm

메탄(CH₄): >1,000ppm

프로판(C₃H₈): > 1,000ppm

이소부탄(C₄H₁₀): > 1,000ppm

민감도(Sensitivity)

Rs(in 200ppb O3)/ Rs(in air)≥2

예열 시간(Preheat Time)

48시간 이상

출력 신호(Output Signal)

I2C

ADC 정밀도(ADC Precision)

10Bits

I2C 비율(RATE)

100kHz

VIL(@I2C)

-0.5~0.99V

VIH(@I2C)

2.31~5.2V

작동 전압(Working Voltage)

3.1~5.25V DC

Ripple(@Max Power)

80~100mV

최대 전력(Max Power)

150mW

최대 히팅 전력(Max Heating Power)

88mW

작동 온도(Working Temperature)

-30~85℃

작동 습도(Working Humidity)

5~95%